氫滲透行為的測(cè)試可以采用較為容易的恒電位方法進(jìn)行，假如實(shí)驗(yàn)過(guò)程中有必要在試樣的陰極側(cè)進(jìn)行充氫，就必須利用 Devanathan-Stachurski(D-S)電解池這個(gè)特殊裝置。自 Devanathan 和 Stachurski 首次采用電化學(xué)方法來(lái)研究氫擴(kuò)散，由于該方法能夠測(cè)定室溫附近材料的氫擴(kuò)散系數(shù)及表面濃度等參數(shù)，同時(shí)該方法還具備簡(jiǎn)單、靈活性和靈敏度等優(yōu)點(diǎn)，因而得到了廣泛的普及和發(fā)展，現(xiàn)在已經(jīng)變成常溫條件下探究金屬發(fā)生氫脆腐蝕的重要方法。Devanathan-Sta-churski 創(chuàng)造的測(cè)定氫擴(kuò)散速率的裝置示意圖如圖6.1所示。裝置是由兩個(gè)不相通的電解池構(gòu)成，實(shí)驗(yàn)用試樣夾于這兩個(gè)電解池的中間作為工作電極。裝置中左端的電解池為充氫室又被稱為陰極池，相對(duì)應(yīng)的試樣左面為極化面（氫進(jìn)入面）；右端是陽(yáng)極池，在該端的試樣面是擴(kuò)散面（氫氧化面）。實(shí)驗(yàn)過(guò)程中向左端電解池陰極池中裝入所要研究的腐蝕介質(zhì)使其與試樣發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生原子氫，陰極池發(fā)生如下反應(yīng)：H⁺+e→H,形成的H一部分結(jié)合成氫氣釋放出去；其余的進(jìn)入到試樣的內(nèi)部被金屬吸收。在陽(yáng)極池中通過(guò)恒電位儀施加一定的正電位從而使從陰極池中擴(kuò)散過(guò)來(lái)的H被電離發(fā)生如下反應(yīng)：H^-e→H⁺,進(jìn)而產(chǎn)生陽(yáng)極電流i.,且該電流可以被記錄。一段時(shí)間之后從陰極池?cái)U(kuò)散到陽(yáng)極池中的H能夠都被電離，此時(shí)i_a.表現(xiàn)為最大值（穩(wěn)態(tài)電流）且被表示為i_a。陽(yáng)極電流i_a與試樣擴(kuò)散面產(chǎn)生的氫量相對(duì)應(yīng)，因此可以用其來(lái)衡量滲氫的量。在氫滲透實(shí)驗(yàn)過(guò)程中主要測(cè)量i_a隨時(shí)間的變化，直到i_a達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)為止。